Hi-Tech новости

Компании IBM, Infineon и Macronix объявили о запуске совместного проекта по созданию нового типа памяти.

Как сообщается, принцип работы памяти будет основан на технологии фазового перехода (Phase-Change Memory, PCM), то есть, изменении состояния вещества с аморфного на кристаллическое и наоборот. При этом одно состояние будет соответствовать логической единице, а другое - логическому нолю.

В настоящее время исследования находятся на самой начальной стадии, однако разработчики планируют представить первые образцы PCM-модулей в течение трех-пяти лет. К преимуществам новой памяти можно отнести высокую надежность и плотность хранения информации, энергонезависимость, а также хорошее быстродействие.

Теоретически, в перспективе РСМ-память может заменить широко распространенную в настоящее время флэш-память. Причем IBM, Infineon и Macronix рассчитывают, что РСМ-память будет востребована как в компьютерной области, так и в секторе бытовой электроники (цифровые плееры, фотоаппараты и пр.). По мнению ряда независимых аналитиков, коммерциализации технологии вряд ли стоит ожидать ранее, чем через десять лет.

Исследования в области разработки РСМ-памяти будут проводиться в двух лабораториях "Голубого гиганта", расположенных в Соединенных Штатах. В проекте примут участие от 20 до 25 сотрудников IBM, Infineon и Macronix.

Источник http://www.compulenta.ru